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FET，MOSFET - 单个
C3M0021120K参考图片

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C3M0021120K

  • Cree/Wolfspeed
  • ROHS
  • 1200V, 21 MOHM, G3 SIC MOSFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
C3M™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
28，8 毫欧 @ 50A, 15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3，6V @ 17，7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
162nC @ 15V
Vgs（最大值）
+15V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4818pF @ 1000V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
469W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-4
商品其它信息
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