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FET，MOSFET - 单个
BSS87,115参考图片

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BSS87,115

  • Nexperia USA Inc.
  • ROHS
  • MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
400mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
3 欧姆 @ 400mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
2.8V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
120pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
580mW（Ta），12.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-89
封装/外壳
TO-243AA
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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