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FET，MOSFET - 单个
NVF2955T1G参考图片

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NVF2955T1G

  • ON Semiconductor
  • ROHS
  • MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
170 毫欧 @ 750mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
14.3nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
492pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223（TO-261）
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
商品其它信息
优势价格，NVF2955T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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