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双极（BJT）- 单，预偏置
DTC115ECAHZGT116参考图片

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DTC115ECAHZGT116

  • Rohm Semiconductor
  • ROHS
  • NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
有源
晶体管类型
NPN - 预偏压 + 二极管
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
100mA
电阻器 - 基底（R1）
100 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）
100 kOhms
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
82 @ 5mA，5V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
-
频率 - 跃迁
250MHz
功率 - 最大值
350mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
SST3
商品其它信息
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